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DISCO DURO SSD SAMSUNG EVO PLUS 2TB M2 NVME PCIE 3.0 M.2 2280
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DISCO DURO SSD SAMSUNG EVO PLUS 2TB M2 NVME PCIE 3.0 M.2 2280

Te presentamos el 970 EVO Plus de Samsung, un disco SSD con la última tecnología Samsung. El 970 EVO Plus es más rápido que su antecesor, el 970 EVO, alcanzando velocidades de escritura y lectura de hasta 3500MB/s.
220,90 €
Impuestos incluidos
Cantidad
Fuera de stock

MZ-V7S2T0BW
SAMSUNG
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Características:

  • Diseño flexible Lo último en SSD NVMe. El modelo 970 EVO Plus cuenta con una capacidad de hasta 2 TB en un formato compacto M.2. (2280), ofreciéndote un increíble almacenamiento en muy poco espacio para que puedes utilizar otros componentes. Toda la capacidad que necesitas para hacer más y llegar más lejos.
  • Excepcionalmente resistente Un nuevo estándar en rendimiento y durabilidad. Consigue hasta 1.200 TBW con una garantía limitada de 5 años, consiguiendo así un rendimiento un 50% superior al modelo anterior, y además con la última tecnología V-NAND.
  • Fiabilidad sin precedentes Consigue un nivel de fiabilidad sin precedentes. La avanzada controladora con revestimiento de níquel, junto con su disipador, consiguen una mejor disipación del calor. Además, la tecnología Dynamic Thermal Guard controla de forma automática la temperatura de la unidad, minimizando así los descensos en el rendimiento ocasionados por el sobrecalentamiento.

Especificaciones Samsung 970 EVO Plus:

  • Peso y dimensiones
    • Ancho: 80,2 mm
    • Profundidad: 22,1 mm
    • Altura: 2,38 mm
    • Peso: 8 g
  • Control de energía
    • Voltaje de operación: 3,3 V
    • Consumo de energía (promedio): 6 W
    • Consumo de energía (inactivo): 0,03 W
    • Consumo energético (en suspensión): 0,005 W
    • Consumo de energía (espera): 0,03 W
  • Condiciones ambientales
    • Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 ºC
  • Contenido del embalaje
    • Software incluido: Magician Software for SSD management
  • Características
    • Factor de forma de disco SSD: M.2
    • SDD, capacidad: 2000 GB
    • Interfaz: PCI Express 3.0
    • Tipo de memoria: V-NAND MLC
    • NVMe: Si
    • Componente para: PC
    • Encriptación de hardware: Si
    • Velocidad de lectura: 3500 MB/s
    • Velocidad de escritura: 3300 MB/s
    • Versión NVMe: 1.3
    • Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
    • Lectura aleatoria (4KB): 620000 IOPS
    • Escritura aleatoria (4KB): 560000 IOPS
    • Tipo de controlador: Samsung Phoenix
    • Carriles datos de interfaz PCI Express: x4
    • Función DevSleep: Si
    • Soporte S.M.A.R.T.: Si
    • Soporte TRIM: Si
    • Tiempo medio entre fallos: 1500000 h

Referencias específicas

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